哪里回收锗价格高-「贵金属废料回收」

admin 铂铑铱钌 2021-11-25 09:22 5
发生如此强烈的影响贵金属废料回收,哪里回收锗价格高似乎是由于沉积表面的变化和某种自催化作用造成的。这些薄膜沉积在上,是一年价格多前从商业上购买的,并被切割成碎片用于这些实验。和暴露在大气中会迅速形成氧化物,毫无疑问,插入反应器的成核表面是某种形式的氧化物或氮氧化物混合物。然而,很容易在各种低价氧化物如和之间变化,因此可能在还原条件下,例如在基板上加热过程中流过反应器的合成气体,或什至发生沉积的氢气,锗表面在特定的转变温度下以相当突然的方式改变。在所有实验中,从室温开始加热的时间固定为分钟。这可以解释上面观察到的行为,在摄氏度的窗口中,


锗沉积速率从几增加到,并且该窗口的位置可以根据反应物移动几十度气体和存在气体的分压。为了测试这一理论,在衬底和一块上进行了沉积,该块首先在氢气中加热至,然后在分钟内冷却至沉积温度。结果包括在下的沉积速率约为埃分钟,锗沉积在暴露于空气中的上,然后放置在基座上。在衬底上,沉价格积速率接近,低一个数量级。同时,在预热至然后在反应器中还原气氛中冷却的基板上,在下沉积速率接近,并且在低温下速率明显更高。预热的基板是标准制造过程的最接近模拟,其中或类似电极将沉积在集群工具的一部分中,之后,基板将被转移到沉积模块,而无需任何空气暴露。锗在预热的和价格上的沉积速率之间回收的比率足以在像这样的表面的任何组合上获得非常高的选择性。锗预计随着清洁的原位沉积和,该比率将进一步增加。这种前体的独特行为最直接的潜在好处是自下而上填充通孔以制作硫族化物相变存储材料的塞子。初始层可以用作一整套前回收体的更有利的生长位点,以帮助防止塞子中的接缝或空隙贵金属废料回收。如果需要,回收还可以使用与侧壁接触不良的材料塞,锗从而提供更好的热隔离和相邻单元之间的更少串扰。缓慢的沉积和不良的成核可能导致在表面附近具有孔隙的不良粘附层。


一个更间接的好处是为其他成核敏感材料创建半导体兼容的成核表面。例如,众所周知,金属钌在纯还原气氛中难以生长;对于大多数前体,它往往需要附近有一些氧气。锗此外,很难将其均匀地沉积在表面。这种前驱体可用于在沟槽或通孔底部的上形成成核层,以便可以使用轻微氧化工艺,因为与氧的结合不像那样强哪里回收锗价格高,或者还原工艺沉积更容易在干净的金属上使用。这种方法可价格以扩展到除以外的材料的沉积,只要它们具价格有一些可以利用的回收表面化学敏感性回收。在更复杂的方法中,表面金属氮化物和或可以通过反应气体改变其表面化学性质例如从氧化物到金属,锗以便为了从该前体沉积而将其打开和关闭。这反过来允许可能暴露多种材料的芯片表面具有不同的表面打开和关闭,这取决于层材料和共反应物,相对于沉积。锗然后,可以用作进一步化学修饰的保护层,例如,作为硬掩模牺牲层等。如果找到对表面和沉积具有这种强烈敏感性的合适前体,该原理可以扩展到以外的其他元素温度。本发明大体上涉及一种形成半导体结构的方法,更具体地,涉及一种用于低温选择性外延锗半导体合金的方法,该半导体合金至少包括硅和锗采用高级硅烷前体。高级硅烷是指,其中是大于的整数价格。


锗与使用硅烷或乙硅烷的回收化学气相沉积工艺相比,采用高级硅烷的化学气相沉积工艺可以提供更高的沉积速率和更低的沉积温度在气相中形成硅微粒的气相反应是使用高级硅烷的化学气相沉积工艺的如此高沉积速率和低沉积温度的原因。对于外延硅沉积工艺,使用高级硅烷的化学气相沉积工艺不适合,因为负责提高生长速率的气相反应也回收负责形成哪里回收锗价格高气相硅颗粒并作为缺陷掺入沉积膜中降低贵金属废料回收沉积膜的结晶度。

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  • 郭玟玉 2021-11-25 20:11:02 回复

    回收铂铑热电偶丝

  • 田琦 2021-11-25 16:18:19 回复

    有回收铂金的没

  • 管隽 2021-11-25 13:37:16 回复

    回收铂碳催化剂

  • 皋梦琪 2021-11-25 13:12:47 回复

    铂催化剂回收

  • 田水蕊 2021-11-25 11:31:39 回复

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