报废铂包不锈钢坩埚钳回收-「铂锭回收提纯」

作者:永芳2021-01-26 10:39 人观看 5人评论

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与任何散装材料相比,电阻率预计会增加,因为它只能与散装材料一样致密。通常,它将是具有更多子结构的低密度膜,通过晶间接触导致电阻增加。

选择微电极电镀铂工艺最重要的要求是良好的机械性能和低的铂包不锈钢坩埚钳 电阻。铂100似乎是沉积具有良好机械性能的铂层的最佳选择。然而,这种解决方案有一些局限性:总之,尽管电沉积 铂锭回收提纯  电极在提供厚层并因此获得低阻抗方面是最有吸引力的,但是当前的工艺不能产生足够强的电极。具体来说,与体铂相比,铂层具有高电阻率,高应力会导致分层。另一种策略是溅射或电沉积一薄层(2m),并通过增加宽度和尽可能减小电极长度来降低总阻抗。

在确定使用目前可用的方法制造厚度大于2m的 铂包不锈钢坩埚钳  电极是不可行的之后,已经在硅晶片上生产了许多厚度为2m的宽轨迹电极的方案。所有这些都旨在满足不与神经直接接触的刺激电极的电阻率和尺寸的要求。在一个4英寸的硅晶片上制作了一系列电极设计,最终获得了双聚对二甲苯碳硅涂层:短电极和与弹性引线集成并配备不同形状连接器的电极,带有制作的微电极的硅晶片,以及(b)从晶片上机械释放的微电极结构的例子。

短无源电极和集成有弹性引线的电极的线电阻分别在60-140和120-220的范围内。一些植入制造商的电阻超过100。这是由于湿法刻蚀过程中铂路径的横向刻蚀过大(图5.11a)。另一种选择是使用铂干蚀刻工艺与非常厚的二氧化硅(二氧化硅)层(4m)作为硬掩模。室温下用纯氩溅射蚀刻了铂包不锈钢坩埚钳图形。已经实现了对掩模的足够的选择性以蚀刻整个铂层,并且在蚀刻过程中铂轨迹的变窄被最小化(图5.11b)。在这种情况下,从第三轮开始在晶片上测量的电极线的电阻一直保持在100以下。

如图5.12显示了制造过程的最终工艺流程。氧化临时衬底(步骤1)以产生用于后续硅蚀刻工艺的氧化物蚀刻停止层。然后通过使用湿法或等离子体蚀刻工艺溅射并图案化铂层(步骤2和3)。在等离子体增强化学气相沉积工艺中沉积的二氧化硅(二氧化硅)和氮化硅(氮化硅)层用作两种铂包不锈钢坩埚钳蚀刻工艺的掩模材料。接下来,在晶片上沉积具有微米厚度的对二甲苯碳层,然后在等离子体工艺中使用氧化物掩模执行蚀刻(步骤4和5)。通过由蚀刻减小该层的多余部分的面积大小,该层将来从晶片上剥离的风险被最小化。两层20。在晶片上涂覆10 m厚的生物相容性硅橡胶(Nusil Technologies的MED-6215),然后固化(步骤6)。

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